Table 1.

The simulating device architecture's input parameters [8,25,26].

Terms	Parameters	ITO	ETM (ZnMgO)	PVK (CsSnI3)	HTM (GO)
Thickness	d (μm)	0.1	0.1	0.1*	0.1
Bandgaps	Eg(eV)	3.6	3.33	1.27	2.48
Relative Permittivity	εr	10	9	10.59	10
Elect. affinity	χ(eV)	4.1	3.9	4.47	2.3
Elec. thermal velocity (cm.s−1)	ve	1 × 107	1 × 107	1 × 107	5.2 × 107
Hole thermal velocity (cm.s−1)	Vh	1 × 107	1 × 107	1 × 107	5.0 × 107
Effective DoS at CB.	Nc(cm−3)	2 × 1018	1 × 1021	1.58 × 1019	2.2 × 1018
Effective DoS at VB.	Nv(cm−3)	1.8 × 1019	2 × 1020	1.47 × 1018	1.8 × 1019
Mob. of electrons	μn(cm2/Vs)	50	20	4.37	26
Mob. of holes	μp(cm2/Vs)	75	10	4.37	123
Dop. conc. of acceptor	Na(cm−3)	0	1	1 × 1015	1 × 1018
Dop. conc. of donor	Nd(cm−3)	1 × 1018	1 × 1019	0	0
Def. Density	Nt(cm−3)	1 × 1012	1 × 1012	1 × 1012	1 × 1012