Table 1. SCAPS-1D Input Parameters of the Initial Device Structure.

parameter	FTO	SnO2	BaZrS3	Cu2S
thickness (nm)	10	30	500	50
band gap Eg (eV)	3.50	3.50	1.70	1.21
affinity χ (eV)	4.00	4.00	4.10	4.45
dielectric permittivity εr	9.0	9.0	9.6	30
conduction band effective density of states NC (cm–3)	2.2 × 1018	2.20 × 1017	2.2 × 1018	1.00 × 1019
valence band effective density of states NV (cm–3)	1.8 × 1019	2.20 × 1016	1.8 × 1019	6.15 × 1019
electron thermal velocity (cm/s)	1 × 107	1 × 107	1 × 107	1 × 107
hole thermal velocity (cm/s)	1 × 107	1 × 107	1 × 107	1 × 107
electron mobility (cm2/(V s))	2 × 101	2.00 × 1001	1.10 × 10–02	5.00 × 101
hole mobility (cm2/(V s))	1 × 101	1.00 × 1001	3.90 × 10–02	4.00 × 100
donor density ND (cm–3)	1 × 1018	1 × 1018	0	0
acceptor density NA (cm–3)	0	0	1 × 1015	7 × 1016
defect density NT (cm–3)	1 × 1015	1 × 1015	1 × 1010	1 × 1013
references	(79)	(80)	(46,47)	(81)