Table 6.

Semiconductor characteristics of compounds 2a-g, measured under ambient temperature and atmosphere, in top-contact/bottom-gate TFT device architecture.

BPhTC	μFET/(cm2 V−1 s−1)	ION/IOF
2a	1.6 × 10−2	2.1 × 103
2b	5.0 × 10−2	4.6 × 102
2c	1.0 × 10−2	3.1 × 104
2d	2.2 × 10−2	2.4 × 105
2e	3.2 × 10−4	4.0 × 104
2f	0.77 × 10−4	4.3 × 105
2g	2.9 × 10−4	3.3 × 103