Table 1.

The input parameters for the FASnI₃ device simulation [19,20].

Parameters	FTO	ETL	FASnI3	Graphene	HTL
d (μm)	0.3	0.03	0.4	0.1	0.2
Eg (eV)	3.5	2.1	1.41	2.48	2.91
χ (eV)	4.1	3.9	3.52	2.3	2.2
Ɛr	9.5	3.9	8.2	7.1	3.0
NC (cm−3)	2.20 × 1018	2.20 × 1019	1.0 × 1018	2.2 × 1018	2.2 × 1018
NV (cm−3)	1.80 × 1019	2.2 × 1019	1.0 × 1018	1.0 × 1019	1.9 × 1019
Vn (cm s−1)	1 × 107	1.0 × 107	1.0 × 107	5.2 × 107	1.0 × 107
Vp (cm s−1)	1 × 107	1.0 × 107	1.0 × 107	5.0 × 107	1.0 × 107
μn (cm2 V−1s−1)	50	1.0 × 10−3	22	10	2.0 × 10−4
μp (cm2 V−1s−1)	70	2.0 × 10−3	22	10	2.0 × 10−4
ND (cm−3)	1.0 × 1019	1.0 × 1018	0	0	0
NA (cm−3)	0	0	7.0 × 1016	9.0 × 1021	1.0 × 1019
Nt (cm−3)	1.0 × 1015	1.0 × 1015	2.0 × 1015	1.0 × 1015	1.0 × 1015